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箱型高溫爐以開口爐門設計提供寬敞的作業空間,可同時放置多件樣品、坩堝或托盤,適合批量燒結、灰化分析、陶瓷製程、固態合成與材料前處理。選型時除了最高溫度,建議同步評估爐膛尺寸、加熱元件材質、溫度均勻度與升降溫速率,以確保設備規格與實際製程條件相符。
| 溫度等級 | 系列 | 加熱元件 | 適用情境 | 產品頁 |
|---|---|---|---|---|
| 1100°C | Moldatherm | 嵌入式 Moldatherm 複合元件 | 一般灰化、基礎燒結、教學與例行熱處理 | 1100°C 箱型爐 |
| 1200°C | LGO | LGO(Light Gauge Overbend)專利元件 + Platinel II 熱電偶 | 通用型,升降溫速率佳、溫度均勻度高,多種爐膛尺寸可選 | 1200°C 箱型爐 |
| 1500°C | Moldatherm 多功能 | SiC 矽碳棒 | 陶瓷製程、電子材料、進階材料研究與多段程式升降溫 | 1500°C 箱型爐 |
| 1700°C | Moldatherm 超高溫 | MoSi₂ 鉬二矽化物(耐熱衝擊,可快速升降溫) | 粉末冶金、貴金屬處理、超高溫材料合成與測試 | 1700°C 箱型爐 |
箱型高溫爐的溫度等級直接對應加熱元件材質。1100°C 等級採用嵌入式 Moldatherm 複合元件,結構簡單、維護門檻低,適合灰化和基礎燒結;1200°C 的 LGO 系列以專利 Light Gauge Overbend 元件搭配 Platinel II 貴金屬熱電偶,升降溫速率與溫度均勻度表現突出;1500°C 等級使用 SiC 矽碳棒,壽命長、能耗效率高,是多數陶瓷與進階材料製程的主力等級;1700°C 等級使用 MoSi₂ 鉬二矽化物元件,耐熱衝擊、可快速升降溫,但在低溫長時間操作時需注意元件特性。
不同元件的更換難易度與耗材成本也有差異——1700°C 機型的 MoSi₂ 元件更換相對單純(側壁安裝設計),但單價高於 SiC 矽碳棒。建議在選型時同步確認耗材供應狀況與預估的維護週期。
爐膛尺寸主要依據樣品外形、坩堝規格與每批次的處理數量。以最大樣品或坩堝尺寸為基準,預留足夠空間讓熱氣流均勻分布——過度堆疊或塞滿爐膛會導致溫度分布不均,影響結果的重現性。同時也要確認爐口開口高度是否方便以坩堝夾取放操作,以及爐膛深度是否足以放置多排樣品。
經驗談:選爐膛容積時常見的兩個極端——選太小,日後樣品量增加就不夠用;選太大,空爐膛加熱浪費能耗且升溫慢。比較穩妥的做法是以目前最大批次量為基準,再預留約三成的空間餘裕。
箱型高溫爐的門型設計會影響日常操作的便利性和安全性。1100°C 和 1200°C 機型多為側開門(水平鉸鏈),爐門打開後高溫面朝遠離操作者的方向,放樣取件較安全。1700°C 機型則多為垂直掀門設計,爐門向上開啟、不佔桌面空間,搭配主動散熱風扇控制外殼溫度。選型時可依實際操作頻率和實驗室空間配置來決定門型偏好。
部分箱型高溫爐支援導入惰性氣體(如 N₂、Ar)提供基本的保護氣氛,多數機型出廠時已預留進氣口和排氣口。但箱型爐的爐門為開口設計,整體氣密性不如管狀高溫爐——若製程對氣氛純度要求嚴格(例如完全無氧環境或還原反應),管狀高溫爐搭配密封管件是更合適的選擇。
實務觀察:箱型高溫爐不是設計為氣密爐——導入惰性氣體可以降低氧化程度,但無法達到管狀爐級別的氣氛控制精度。若對氧含量有具體 ppm 要求,建議評估管狀高溫爐。
箱型高溫爐的功率消耗普遍高於管狀高溫爐(爐膛體積較大)。1100°C 小爐膛機型可能 120V 即可,但 1500°C 以上機型或大爐膛機型幾乎都需要 208/240V 獨立迴路。1700°C 大爐膛機型功率可達數千瓦,採購前務必確認實驗室的配電盤容量與迴路規格。電力評估的完整邏輯可參閱實驗室電力系統與接地設計。
若製程需要嚴格的氣氛控制(完全無氧、還原氣氛、真空環境),箱型高溫爐的氣密性不足以滿足,應改評估管狀高溫爐。若主要需求是低溫乾燥或 300°C 以下的加熱處理,建議先看實驗室烘箱或真空烘箱。
箱型高溫爐的選型除了爐體本身,也可能涉及電力迴路、散熱空間和排氣配置。若您正在評估箱型高溫爐或規劃高溫製程區域,可先從以下資源整理需求。
延伸閱讀:管狀高溫爐完整指南、實驗室通風與排氣系統設計指南、實驗室電力系統與接地設計
不確定哪款箱型高溫爐適合您的製程?可先提供目標溫度、樣品型態與批次量、是否需要氣氛保護,以及現場電力與空間條件,原拓可協助整理選型方向與配置建議。
溫度等級的選擇依據製程所需的最高操作溫度,並建議保留一定餘裕,避免長時間在極限溫度下運轉而縮短加熱元件壽命。
不同溫度等級對應不同的加熱元件:1100°C 等級使用嵌入式 Moldatherm 複合元件,維護簡單;1200°C 使用 LGO 專利元件;1500°C 使用 SiC 矽碳棒,壽命長、能耗效率高;1700°C 使用 MoSi₂ 鉬二矽化物元件,可快速升降溫但單價較高。加熱元件的差異直接影響維護成本與耗材更換週期,選型時建議一併考量。
爐膛尺寸主要依據樣品外形、坩堝規格與每批次的處理數量。以最大樣品或坩堝尺寸為基準,預留足夠空間讓熱氣流均勻分布,避免過度堆疊導致溫度不均。
同時要確認爐口開口是否方便坩堝夾取放操作,以及爐膛深度是否足以放置多排樣品。比較穩妥的做法是以目前最大批次量為基準,再預留約三成的空間餘裕。
常見的安全保護功能包括:
– 門開關安全斷電(開門時自動切斷加熱元件電源,保護元件並降低操作者暴露風險)
– 過溫保護(OTP/OTC,溫度超過設定上限時自動斷電)
– 雙層外殼設計(降低外殼表面溫度)
– 主動散熱風扇(1700°C 機型配備,控制外殼溫度)
不同機型的安全配置有差異,選型時可依製程風險等級與操作頻率確認所需的保護功能。高溫設備的現場安裝條件(散熱空間、排氣路徑、電力配置)同樣影響操作安全,相關評估可參閱 實驗室電力系統與接地設計。