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V-780 JASCO UV-Vis-NIR 分光光度計(InGaAs 高靈敏 NIR)

品牌：JASCO
產品型號：V-780

V-780具有一個帶有自動切換光柵的單光器。 PMT 檢知器用於紫外可見光區，高靈敏度的InGaAs檢知器用於近紅外區。

V-780 JASCO UV-Vis-NIR 分光光度計(InGaAs 高靈敏 NIR)

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產品特色

產品特色

特點 :  

  • IQ Accessory和 IQ Start：IQ Accessory可自動識別安裝之附件，讓光譜數據可以記錄儀器及附件之資訊。同時可自動載入特定之最佳化儀器參數以實現的樣品測量。 IQ Start 可透過儀器上的按鈕，快速開始樣品測量。
  • 加強近紅外區檢測靈敏度：V-780波長範圍為190到1600 nm，InGaAs檢知器在近紅外區具有更強的檢測靈敏度，使測量的光譜帶寬更窄、解析度更好，並提高整個光譜範圍的訊雜比。
  • 各式測量附件：提供各種微量或超微量的液槽座、流動液槽與固體樣品測量附件。
  • 也可選購高階測量附件，例如積分球、自動和手動絕對反射裝置，進行各種材料科學的透射、反射分析及產業規範所需之顏色、霧度、紫外光遮蔽率等測量。
  • 符合規範的儀器驗證，符合包含USP、EP 和 JP之IQ/OQ 儀器認證。
  • 單分光器及對稱式雙光束設計
  • 光電倍增管檢知器及InGaAs光電二極體檢知器。
規格

規格

型號

V-780

光學系統

單分光器、雙光束系統

光源

氘燈及鹵素燈

波長範圍

190到1600 nm

波長準確度

+/-0.3 nm (at 656.1 nm)

+/-1.0 nm (at 1312.2 nm)

波長再現性

+/-0.05 nm (UV-Vis), +/-0.1 nm (NIR)

光譜帶寬(SBW)

UV-Visible: 0.1, 0.2, 0.5, 1, 2, 5, 10 nm

L2, L5, L10 nm (低迷光模式)

M1, M2 nm (微量液槽模式)

NIR: 0.4, 0.8, 1, 2, 4, 8, 20, 40 nm

L4, L10, L20 nm (低迷光模式)

M2, M4 nm (微量液槽模式)

迷光率

1 % (198 nm KCL 12 g/L 水溶液)

0.005 % (220 nm NaI 10 g/L水溶液)

0.005 % (340 nm NaNO2 50 g/L水溶液)

0.005 % (370 nm NaNO2 50 g/L水溶液)

0.04 % (1420 nm: H2O)

光度範圍

紫外-可見光區: -4~4 Abs

近紅外區: -3~3 Abs

吸光值準確度

+/-0.0015 Abs (0 to 0.5 Abs)

+/-0.0025 Abs (0.5 to 1 Abs)

+/-0.3 %T Tested

吸光值重複性

+/-0.0005 Abs (0 to 0.5 Abs)

+/-0.0005 Abs (0.5 to 1 Abs)

掃描速度

10-4000 nm/min

RMS 雜訊等級

0.00003 Abs

基線穩定度

0.0004 Abs/hour

基線平坦度

+/-0.0002 Abs

檢知器

光電倍增管 (PMT)，InGaAs光電二極體檢知器

 

產品詢問

科學儀器詢問表單

V-780 適合什麼應用

V-780 是 V-700 系列的特殊配置款,PMT + 高靈敏 InGaAs 雙檢測器,雙光柵自動切換(UV/Vis 1200 lines/mm、NIR 600 lines/mm),波長 190–1600 nm,光度精度 ±0.0005 Abs(優於其他 V-700 款)。InGaAs 在 NIR 區域提供比 PbS 更佳的響應與靈敏度,光柵與檢測器在 800–900 nm 自動切換,使用者可指定切換點。

適合的場域

  • 半導體光學特性研究:晶圓表面塗層、量子阱、量子點材料的吸收與穿透光譜
  • 太陽能電池與光伏材料:鈣鈦礦、染料敏化、有機光伏材料的 NIR 吸收特性
  • 量子點與奈米材料:CdSe、PbS、InP 等量子點的吸收光譜量測
  • NIR 螢光標記前的吸收量測:配合 NIR 螢光研究的吸收基線分析
  • OLED 與光電材料:有機半導體、發光材料的光學特性
  • 低光通量 NIR 樣品:極稀薄樣品、極低吸收薄膜的精準量測
  • 需要高光度精度的應用:±0.0005 Abs 是 V-700 系列中最佳光度精度

不適合的應用

  • 不需 NIR 高靈敏的 UV-Vis 應用:可考慮 V-750(藥典 QC)或 V-760(高吸收材料)
  • 需要量測超過 1600 nm 的研究:需 V-770(可至 2700 nm,選配 3200 nm)
  • 波長超過 3200 nm 的應用:需 FTIR 系列(如 FT/IR-6X 配遠紅外擴充)
  • 純例行 QC、不需要 NIR:V-780 規格偏向研究級,純 QC 可考慮 V-730

與同系列其他型號的差異

項目V-770V-780(本款)
NIR 檢測器PbS(Peltier 冷卻)InGaAs(高靈敏 NIR)
NIR 靈敏度標準高(優於 PbS)
光柵單光柵雙光柵自動切換(UV/Vis 1200 + NIR 600 lines/mm)
波長範圍190–2700 nm(可擴 3200)190–1600 nm
光度精度±0.0015 Abs±0.0005 Abs
主要應用NIR 漫反射、薄膜光學量子點、半導體、太陽能、低光通量 NIR

選型建議:V-770 與 V-780 的選擇,實務上看「NIR 波長範圍 vs NIR 靈敏度」的取捨——V-770 的 PbS 檢測器可達 2700 nm(選配 3200 nm),但 NIR 靈敏度為標準級;V-780 的 InGaAs 檢測器靈敏度高很多,但範圍僅到 1600 nm。如果研究是稀薄半導體、量子點、低光通量太陽能材料,V-780 的高靈敏明顯有優勢;如果需要量測到 2000 nm 以上(例如水或一些 OH 振動倍頻),V-770 才必要。完整 5 款差異與選型邏輯,可參考 V-700 系列總覽。

整體系統規劃與相關資源

V-780 是研究級配置,搭配整合球、低溫樣品台、自動進樣盤時空間需求顯著。半導體與材料研究場域常與膜厚儀、AFM、光致發光儀整合,規劃時可一併考量工作流程。

整廠規劃與設備整合

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延伸閱讀

需要評估 V-780 配置、整合球選項、量子點研究配置或整廠規劃,可提供樣品型態、預期 NIR 量測範圍與現場條件,原拓可協助評估;若有特殊規格需求,亦能依需求協助評估其他配置。